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초 미세 50나노급 공정 적용한 2기가비트 DDR3 D램 개발
※ 2Gb D램 최초 개발: '07.9月 60나노 DDR2 → '08.9月 50나노 DDR3
초고속 1.333Gbps(1,333Mbps) 동작 제품을 10월부터 양산 예정
업계 최초 50나노급 DDR3 D램 사업화로 경쟁 우위 확보

50나노 2기가비트 DDR3 시대 개막, 10월부터 양산 돌입!

삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2기가비트(Giga bit) DDR3 D램 개발에 성공해 10월부터 양산할 예정이다.

이에 따라 DDR2 제품이 주를 이루고 있던 고용량 D램 제품 시장을 DDR3제품이 빠른 속도로 대체해 나갈 것으로 전망된다.

50나노 2기가비트 DDR3는 2007년 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램의 최대 속도인 800Mbps(초당 800메가비트의 데이터 처리) 대비 약 1.6배인 1.333Gbps(1,333Mbps)를 구현하며, 단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상되었다.

삼성은 이번에 개발한 2기가비트 D램 솔루션으로 고용량 DDR3 모듈을 양산할 예정으로 서버용 8기가바이트(Giga Byte) RDIMM, 워크스테이션 및 데스크탑 PC용 4기가바이트(GB) UDIMM, 노트북용 4기가바이트(GB) SODIMM 등을 제작하여 다양한 응용처에 대해 메모리 솔루션 용량 확대를 가속화할 예정이다.

※ 용어해설

RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)
- 기존 서버 및 워크스테이션 용으로 주로 사용되어 온 D램 모듈
- Control Signal을 위한 Register가 있는 메모리 모듈

UDIMM(Unbuffered DIMM), 데스크탑 PC용으로 주로 사용되어 온 D램 모듈

SODIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module)
- Notebook등 소형 SET에 사용되는 메모리 모듈

한편, 기존 2기가비트 DDR2 D램 단품의 경우 칩 사이즈가 커서 고용량 모듈 제품을 만들기 위해서는 패키지 적층 기술(DDP: Double Die Package)을 적용, 2Gb 칩 2개를 하나로 만들어 탑재해왔다. 그러나 2기가비트 DDR3는 DDR2 D램 패키지 대비 대폭 축소되어, 적층기술 없이 고용량 모듈 제작이 가능해 원가를 절감할 수 있다.

또한 1기가바이트 DDR3 D램 단품을 탑재한 현존 최고 용량 서버용 16기가바이트 DDR3 모듈의 경우는 1Gb DDR3 단품에 4단 적층(QDP: Quad Die Package) 기술을 적용해 원가 부담이 있었으나, 이번에 2기가 DDR3 D램이 출시됨으로써 2단 패키지 적층 기술(DDP)로 양산 예정이다.

2기가바이트 DDR3를 활용하면 공정과 원가 측면 뿐만 아니라 전력 측면에 있어서도 큰 개선이 가능하다. 8기가바이트 D램 모듈의 경우, 기존 1기가비트 DDR3 D램 72개로 구성하던 것을 2기가비트 36개로 대체할 수 있기 때문에 40% 이상 전력을 절감할 수 있고, 이에 따라 시스템 작동時 발열량이 크게 줄어 신뢰성이 향상된다.

이처럼 2기가비트 DDR3 D램은 기존 DDR2 제품을 생산할 때 보다 단품 칩의 생산 효율을 60% 향상한 것

외에도 공정 단순화로 양산성이 증가되고 생산 기간도 단축되어 원가 경쟁력 우위를 확보할 수 있다. 또한 세트 제품에 탑재될 경우 전력 사용과 발열량을 감소시켜 최근 업계의 친 환경 특성 요구에도 더욱 경쟁력있게 대응할 수 있다.

삼성전자는 50나노급 2기가비트 DDR3 D램 출시를 계기로 PC 시장에서 프리미엄 서버 시장에 이르기까지, 향후 수년 이내 D램 시장의 주력 제품이 될 2기가 DDR3 제품군에서 확실한 주도권을 확보하게 되었다.

앞으로도 삼성은 고객의 요구에 대응하는 고용량/고성능 제품을 선행 출시하여 고부가가치 D램 시장을 확대하고, 시장 선점을 통해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 방침이다.

한편, 반도체 시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장은 Bit 기준으로 전체 D램 시장에서 '09년 29%, '11년 75% 규모로 성장하고, DDR3 D램 중 2기가비트 비중도 Bit(1Gb) 기준으로 각각 '09년 3%, '11년 33%를 차지할 것으로 전망됐다.


출처 : 삼성전자
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삼성전자가 저가형 노트북PC 시장을 겨냥하여 'Half Slim'이라는 새로운 규격의 고성능·저용량 SATAⅡ SSD 제품 (8, 16, 32기가바이트) 제품을 9월부터 본격 양산할 예정이다.

※ SATA (Serial ATA) : 직렬 데이터 전송 방식

이번에 삼성전자가 출시하는 Half slim형 SSD는 기존 2.5인치 SSD의 약 1/3, 1.8인치 SSD의 약 1/2 크기의 초경량 제품으로 삼성전자가 최초로 개발하였으며 JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council, 국제 반도체 표준화 협의기구)에 제안하여 세계 표준화를 추진 중이다.

삼성전자는 높은 성능을 구현하기 위해 현재 양산 중인 128GB 제품에 적용한 고성능 SATAⅡ 컨트롤러 기술을 이번 제품에도 적용했으며, 특히 32GB SSD의 경우 연속읽기 90MB/s, 연속쓰기 70MB/s 동작이 가능하다.

이번 저용량 SSD 솔루션은 16Gb(기가비트) MLC 낸드플래시 메모리를 채용하여 8GB SSD는 낸드 단품 4개, 16GB는 2단 적층 칩 4개, 32GB는 4단 적층 칩 4개로 면적과 무게를 최소화 하였다.

또한 32MB(메가바이트) D램을 버퍼(Buffer) 메모리로 활용하여 고속 읽기/쓰기 동작 환경에 적합하게 설계하였다.

최근 수요가 급증하고 있는 저용량 SSD 시장의 경우 기존에 PATA (병렬) 방식이 대부분이었으나 이번 삼성전자의 고성능·저용량 SSD 출시에 따라 저가형 노트북 PC에 SSD 채용이 확대될 것으로 기대된다.

삼성전자는 지난 2006년에 울트라모바일 타입 PC(UMPC: Ultra Mobile PC)에 16GB/32GB SSD를 탑재한 이래 2007년 64GB SSD, 2008년 128GB SSD를 양산하는 등 주요 PC업체와 디지털 기기 업체를 대상으로 SSD 채용 확대에 주력해 왔다.

삼성전자는 이번 고성능·저용량 SSD 출시로 기존 프리미엄급 고용량 제품 라인업과 함께 저가형 노트북 PC부터 서버용까지 차별화된 SSD 솔루션을 제공함으로써 SSD 시장 확대를 가속화 해 나갈 예정이다.

향후 저가형 노트북 PC용 SSD 시장은 수량기준으로 연간 57% 성장을 실현 하며 SSD 수요를 견인할 전망이다.


뉴스출처: 삼성전자
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IT 종합 솔루션 및 가전기기 제조&유통 기업인 디직스세미콘(대표:김대성 http://www.digixkorea.com 이하:디직스)은 커세어(Corsair, http://www.corsair.com)사와 국내 제품 공급계약(Distributor)을 체결했다고 밝혔다.

디직스는 6년간 꾸준한 인기를 유지한 커세어의 서버와 최고급 데스크톱 컴퓨터, 게이머를 초점으로 개발된 고급 PC메모리를 국내 유저들과 게이머들에게 선보이기 위해 준비했다. 디직스는 총 24종의 커세어 PC메모리를 채택하였으며 앞으로 수요에 비례해 더욱더 다양한 품목을 선보일 예정이다.

채택된 PC메모리는 커세어의 보급제품(Value Select)부터 메인스트림 제품인 'XMS2'시리즈와 제품에 고성능 방열히트싱크를 장착한 'DHX'시리즈 그리고 극도의 인텔 익스트림 메모리 프로파일(XMP)을 지원하는 'XMS3'시리즈로 구성되어 있다. 제품별로 667Mhz지원의 보급 'DDR2 PC-5300' 제품부터 클럭 1800Mhz를 지원하는 고성능 'DDR3 PC-14400'제품까지 다양하게 준비되어 있다.

또한 제품 중 '커세어 도미네이터 DDR2-PC6400 DF 2GB(1Gx2) KIT'는 동급 모델 중 최초의 'CL3-4-3-9' 빠른 타이밍을 지원하며, '도미네이터 DF'시리즈는 커세어 메모리 고성능 방열히트싱크에 커세어 메모리 쿨링키트가 포함판매 된다.

24일 1차 국내 입고품 선적이 진행되며 디직스는 대명절 설연휴가 있는 2월에 커세어브랜드(디직스 서비스보증)를 런칭 한다.

디직스 마케팅 부영환대리는 "게일 브랜드 메모리 런칭에 이어 커세어 메모리 브랜드 런칭까지 바쁜 일정이지만 제품을 원하던 유저들에게 제공할 수 있게 되어 기쁘게 일하고 있다"라고 새로운 브랜드 런칭에 대해 소감을 밝혔다.

제품 문의 : (주)디직스세미콘 본사 PC메모리 사업부 02) 715-7787 Fax : 02) 704-6051
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IT 종합 솔루션 및 가전기기 제조&유통 기업인 (주)디직스세미콘(대표:김대성 http://www.digixkorea.com 이하:디직스)이 대만메모리 게일(GEIL, http://www.geilusa.com)사 국내 제품공급 계약(Distributors)을 체결했다.

PC메모리&파워메모리 부분 외국 3개 고급브랜드(Mushkin, Gskill, Patriot) 제품을 국내 공급하여 외산메모리 시장에서 호세를 보이고 있는 디직스는 게일(GEIL)사 제품 공급계약을 체결함과 함께 국내 최대 메모리 유통기업으로 입지를 굳힐 것으로 보인다. 현재 국내에 선보일 제품 40종을 선적하여 1차 운송중이며, 오는 1월 넷째주에 제품 런칭한다고 말했다.

선적중인 제품은 고용량 메모리 사용 유저층을 위한 8기가 메모리팩 제품과 '2GB DDR3 PC-1333'의 성능을 보여주는 고급 제품도 포함되어 있다고 말했다.

게일(GEIL)의 야심작 빠른 타이밍&고클럭에 붉은 눈을 가진 '블랙드래곤'시리즈와 작동시 발생하는 열을 한곳에 모아 방열하는 히트파이프 기술을 도입 제작한 'EVO ONE' 메모리시리즈 또한 오는 1월 넷째주 디직스에서 출시한다.

디직스 마케팅 부영환대리는 "자사에서는 국내에 잘 알려진 게일(GEIL)사의 제품 출시와 국내 오버커들이 해외사이트를 통해 정보를 얻을수만 있었던 제품들을 국내 공급하여 직접 사용할수 있게 준비하고 있다"고 말하며 자신 또한 오버클럭 및 고급 제품에 많은 관심을 가지고 있다고 전했다.

제품 문의 : (주)디직스세미콘 본사 PC메모리 사업부 Tel : 02) 715.7787, Fax : 02) 704.6051

사진설명 : 게일(GEIL) 'Black Dragon' 메모리 제품사진
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컴퓨터 종합IT부품 및 가전기기 제조&유통 기업인 디직스세미콘(CEO:김대성 http://www.digixkorea.com 이하:디직스)의 컴퓨터 메모리사업부에서 최근 급격히 늘어나고 있는 노트북 수요에 발 맞추어 산타로사 플랫폼을 완벽하게 지원하는 지스킬(http://newgskill.web-bi.net)의 신규 DDR2타입 PC-5300, PC-6400 노트북메모리 9종을 출시하였다.

얼마전 머스킨(http://www.mushkin.com) DDR2타입 PC-6400 노트북 PC메모리를 출시한 디직스는 대만 지스킬사의 신제품인 DDR2 PC 5300 CL5-5-5-15 / DDR2 PC 5300 CL4-4-4-12 / DDR2 PC 6400 CL5-5-5-15 노트북 메모리를 출시해 폭넓은 라인업으로 2008년 노트북 PC메모리 시장 확보에 나서고 있으며, 이번 신규 9종은 인텔의 차세대 플랫폼인 산타로사를 완벽지원하면서 기존의 나파플랫폼도 지원하고 있어 소비자들에게 폭넓은 선택권을 줄 수 있게되었다.

'F2-5300CL5S-1GBSA 5-5-5-15', 'F2-5300CL5S-2GBSQ 5-5-5-15', 'F2-5300CL5D-4GBSQ 5-5-5-15'의 보급형 제품 3종과 업계최초로 4-4-4-12의 빠른 타이밍을 가지고 있어 보다 빠른 속도를 원하는 유저들을 위한 고성능 'F2-5300CL4S-1GBSA 4-4-4-12', 'F2-5300CL4S-2GBSQ 4-4-4-12', 'F2-5300CL4S-4GBSQ 4-4-4-12' 3종을 선보였으며, 얼마전 출시된 머스킨 노트북 메모리와 더불어 업계최초로 산타로사 플랫폼 완벽 지원하는 DDR2 PC 6400 노트북 메모리 'F2-6400CL5S-1GBSA 5-5-5-15', 'F2-6400CL5S-2GBSQ 5-5-5-15', 'F2-6400CL5D-4GBSQ 5-5-5-15' 고성능 제품 3종도 함께 선보였다.

또한 디직스에서는 이번에 출시하는 신규 9종중 현재 데스크탑 시장에서 빠르고 늘고 있는 4기가 고용량 추세를 감안하여 고용량 노트북 메모리 유저들을 위한 4기가 DDR2 PC 5300 / 6400 패키지 제품 F2-5300CL5D-4GBSQ 5-5-5-15 , F2-5300CL4S-4GBSQ 4-4-4-12 , F2-6400CL5D-4GBSQ 5-5-5-15 3종도 선보여 많은 관심을 받고 있다.

DDR2 PC 5300 보급형 5-5-5-15 3종

.제품명 : G-skill Notebook Memory 1GB DDR2 PC-5300 SA (F2-5300CL5S-1GBSA 5-5-5-15)
.메모리 타입 : DDR2(FBGA 타입)
.지원타이밍 : CL 5-5-5-15
.칩밀도 : 512Mbit
.On Die Termination : No .Prefetch : 4-bit
.용량 : 1기가 .핀수 : 200핀
.클럭스피드 : 667Mhz
.ECC 지원여부 : 미지원
.제품 크기 : 6.8x3cm (WxH)
.제품 무게 : 10±1g
.듀얼채널 지원여부 : 가능
.패키지 구성물 : 포장박스, 정전기방지 처리 케이스, 메모리 본체, 디직스 서비스 보증 스티커.

.제품명 : G-skill Notebook Memory 2GB DDR2 PC-5300 SQ (F2-5300CL5S-2GBSQ 5-5-5-15)
.메모리 타입 : DDR2(FBGA 타입)
.지원타이밍 : CL 5-5-5-15
.칩밀도 : 512Mbit
.On Die Termination : No
.Prefetch : 4-bit
.용량 : 2기가
.핀수 : 200핀
.클럭스피드 : 667Mhz
.ECC 지원여부 : 미지원
.제품 크기 : 6.8x3cm (WxH)
.제품 무게 : 10±1g
.듀얼채널 지원여부 : 가능
.패키지 구성물 : 포장박스, 정전기방지 처리 케이스, 메모리 본체, 디직스 서비스 보증 스티커.

.제품명 : G-skill Notebook Memory 4GB DDR2 PC-5300 SQ (F2-5300CL5D-4GBSQ 5-5-5-15)
.메모리 타입 : DDR2(FBGA 타입)
.지원타이밍 : CL 5-5-5-15
.칩밀도 : 512Mbit
.On Die Termination : No
.Prefetch : 4-bit
.용량 : 4기가
.핀수 : 200핀
.클럭스피드 : 667Mhz
.ECC 지원여부 : 미지원
.제품 크기 : 6.8x3cm (WxH)
.제품 무게 : 10±1g
.듀얼채널 지원여부 : 가능
.패키지 구성물 : 포장박스, 정전기방지 처리 케이스, 메모리 본체, 디직스 서비스 보증 스티커.

DDR2 PC 5300 고성능 4-4-4-12 3종

.제품명 : G-skill Notebook Memory 1GB DDR2 PC-5300 SA (F2-5300CL4S-1GBSA 4-4-4-12)
.메모리 타입 : DDR2(FBGA 타입)
.지원타이밍 : CL 4-4-4-12
.칩밀도 : 512Mbit
.On Die Termination : No
.Prefetch : 4-bit
.용량 : 1기가
.핀수 : 200핀
.클럭스피드 : 667Mhz
.ECC 지원여부 : 미지원
.제품 크기 : 6.8x3cm (WxH)
.제품 무게 : 10±1g
.듀얼채널 지원여부 : 가능
.패키지 구성물 : 포장박스, 정전기방지 처리 케이스, 메모리 본체, 디직스 서비스 보증 스티커.

.제품명 : G-skill Notebook Memory 2GB DDR2 PC-5300 SQ (F2-5300CL4S-2GBSQ 4-4-4-12)
.메모리 타입 : DDR2(FBGA 타입)
.지원타이밍 : CL 4-4-4-12
.칩밀도 : 512Mbit
.On Die Termination : No
.Prefetch : 4-bit
.용량 : 2기가
.핀수 : 200핀
.클럭스피드 : 667Mhz
.ECC 지원여부 : 미지원
.제품 크기 : 6.8x3cm (WxH)
.제품 무게 : 10±1g
.듀얼채널 지원여부 : 가능
.패키지 구성물 : 포장박스, 정전기방지 처리 케이스, 메모리 본체, 디직스 서비스 보증 스티커.

.제품명 : G-skill Notebook Memory 4GB DDR2 PC-5300 SQ (F2-5300CL4S-4GBSQ 4-4-4-12)
.메모리 타입 : DDR2(FBGA 타입)
.지원타이밍 : CL 4-4-4-12
.칩밀도 : 512Mbit
.On Die Termination : No
.Prefetch : 4-bit
.용량 : 4기가
.핀수 : 200핀
.클럭스피드 : 667Mhz
.ECC 지원여부 : 미지원
.제품 크기 : 6.8x3cm (WxH)
.제품 무게 : 10±1g
.듀얼채널 지원여부 : 가능
.패키지 구성물 : 포장박스, 정전기방지 처리 케이스, 메모리 본체, 디직스 서비스 보증 스티커.

DDR2 PC 6400 고성능 5-5-5-15 3종

.제품명 : G-skill Notebook Memory 1GB DDR2 PC-6400 SA (F2-6400CL5S-1GBSA 5-5-5-15)
.메모리 타입 : DDR2(FBGA 타입)
.지원타이밍 : CL 5-5-5-15
.칩밀도 : 512Mbit
.On Die Termination : No .Prefetch : 4-bit
.용량 : 1기가 .핀수 : 200핀
.클럭스피드 : 800Mhz
.ECC 지원여부 : 미지원
.제품 크기 : 6.8x3cm (WxH)
.제품 무게 : 10±1g
.듀얼채널 지원여부 : 가능
.패키지 구성물 : 포장박스, 정전기방지 처리 케이스, 메모리 본체, 디직스 서비스 보증 스티커.

.제품명 : G-skill Notebook Memory 2GB DDR2 PC-6400 SQ (F2-6400CL5S-2GBSQ 5-5-5-15)
.메모리 타입 : DDR2(FBGA 타입)
.지원타이밍 : CL 5-5-5-15 .칩밀도 : 512Mbit
.On Die Termination : No .Prefetch : 4-bit
.용량 : 2기가 .핀수 : 200핀
.클럭스피드 : 800Mhz
.ECC 지원여부 : 미지원
.제품 크기 : 6.8x3cm (WxH)
.제품 무게 : 10±1g
.듀얼채널 지원여부 : 가능
.패키지 구성물 : 포장박스, 정전기방지 처리 케이스, 메모리 본체, 디직스 서비스 보증 스티커.

.제품명 : G-skill Notebook Memory 4GB DDR2 PC-6400 SQ (F2-6400CL5D-4GBSQ 5-5-5-15)
.메모리 타입 : DDR2(FBGA 타입)
.지원타이밍 : CL 5-5-5-15
.칩밀도 : 512Mbit
.On Die Termination : No
.Prefetch : 4-bit
.용량 : 4기가
.핀수 : 200핀
.클럭스피드 : 800Mhz
.ECC 지원여부 : 미지원
.제품 크기 : 6.8x3cm (WxH)
.제품 무게 : 10±1g
.듀얼채널 지원여부 : 가능
.패키지 구성물 : 포장박스, 정전기방지 처리 케이스, 메모리 본체, 디직스 서비스 보증 스티커.

신제품은 디직스 전국 공인대리점&서비스지정점을 이용할 수 있는 정품 홀로그램 스티커가 제공되며, 평생서비스(LIFE TIME WARRANTY)를 제공한다.

제품 문의 : (주)디직스세미콘 본사 PC메모리 사업부 Tel : 02) 715.7787, Fax : 02) 704.6051

사진설명 : 지스킬(디직스 서비스보증) 신제품 9종 사진

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인텔(Intel)은 Intel Z-P140 PATA SSD 모델을 출시하여 낸드 플래시 기반의 데이터 저장매체인 SSD(solid-state drive) 시장에 진출할 것이라고 발표했다. 이 모델은 현재 SSD 시장에서 가장 가벼운 모델 중 하나이며 휴대용 모바일 기기시장을 공략할 계획이다.


1페니 동전보다 작으며 물 한 방울 보다 가벼운 2GB와 4GB 메모리의 이 모델은 빠른 처리속도, 낮은 전력소비, 내구성, 작은 크기, 휴대용 인터넷 기기나 디지털 기기에 적합한 처리속도와 능력을 자랑한다.


인텔 Z-P140 PATA SSD는 산업 표준인 병렬 ATA(parallel-ATA) 인터페이스를 채택했으며 인텔 기반 컴퓨터의 성능을 최적화 할 수 있도록 설계되었다. 아울러 2008년에 출시될 모바일 인터넷 기기에 사용되는 인텔의 멘로우(Menlow) 플랫폼에 부품으로 사용될 예정이다.


인텔 Z-P140은 초당 40 메가바이트의 데이터를 읽을 수 있으며 30 메가바이트의 데이터를 쓸 수 있다. 휴대용 기기에의 사용을 목적으로 디자인 되었기에 작동시 전력 사용량은 불과 300밀리와트 밖에 되지 않는다. 대기모드일 경우는 1.1밀리와트이며 이러한 장점은 결국 배터리의 수명을 증가시켜 준다.


초소형 휴대용 디바이스 디자이너와 제조업체들은 인텔 Z-P140의 크기(동급 레벨의 메모리 중에서 크기가 가장 작음) 때문에 이 모델에 큰 관심을 보이고 있다.


인텔 Z-P140은 1.8인치 하드디스크 드라이브에 비해 그 크기가 1/400에 지나지 않으며 무게는 0.6그램으로 1/75 정도이다. 내구성 또한 기존의 하드디스크 드라이브(HDD)보다 훨씬 강하다.


출처 Far East Gizmos

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NEC 사는 새로운 정적램(SRAM) 방식과 호환 가능한 자기 메모리(MRAM)를 개발하는데 성공했다. 250MHz로 작동되는 이 제품은 세계에서 가장 빠른 MRAM 구동속도를 자랑한다. MRAM은 초특급 구동속도 및 비휘발성의 특성으로 전원이 꺼졌을 때에도 데이터를 보존하고 무제한적인 기록 보존성을 지녀 지배적인 차세대 메모리 기술로 주목받고 있다.


SRAM 속도 기준에서의 검증을 통해 새로 개발된  MRAM은 향후 SRAM의 대체재로써 LSIs 시스템에 탑재될 수 있다고 밝혀졌다. 두 개의 트랜지스터, 하나의 자기 터널 접합, 그리고 새로 개발된 회로기술을 하나의 메모리 셀에 통합하는 새로운 디자인은 250MHz의 속도 구현으로 달성했다. 이 속도는 기존의 MRAM의 두 배에 가까운 수치이며 거의 최근의 LSI 내장형 SRAM 속도와 맞먹는다.


MRAM은 비휘발성, 무제한적인 기록 보존, 고속구동, 절반으로 줄어든 소비전력 등의 기능에 힘입어 미래 전자 기기에 새로운 가치와 애플리케이션을 창출해 낼 것으로 전망된다. 시스템 LSI 내장형 SRAM의 대체재로서 MRAM는 시스템 LSIs에 비해 현저하게 낮은 전력소비를 가능케 하기 때문에 보다 더 많은 가치를 제공할 수 있다. 이는 MRAM의 경우, 사용하지 않을 때에는 휴지상태에 머물다가 필요할 때엔 즉각적인 작동이 가능하기 때문이다.

 

출처 Far EAST Gizmos

삼성전자, 차세대 그래픽 D램 시장 지속 주도

삼성전자가 메모리 제품 중 세계 최고 속도인 6Gbps (Giga bit per second) 512Mb GDDR5 그래픽 D램 개발에 성공했다.

이번 개발된 제품은 데이터 입·출력 핀 1개당 최대 데이터 처리 속도가 초당 6Gb(기가 비트)로 기존 PC용 667Mbps DDR2 대비 약 9배, 그래픽용 3.2Gbps GDDR4 대비 약 2배 빠른 차세대 그래픽 D램 제품이다.

또한 데이터 입.출력 핀이 32개로 구성되어 있어 초당 데이터 처리 용량이 24기가 바이트(=192기가 비트 = 6Gbps × 32개)로, 1.5기가 바이트 용량의 DVD급 영화 16편을 1초에 처리할 수 있어 고성능 그래픽 카드, 차세대 영상 처리기기, 차세대 게임기 등에 최적인 제품이다.

삼성전자는 이미 세계 주요 그래픽 카드 업체에 이번에 개발한 제품 샘플을 제공했다.

또한 내년 2월 개최되는 2008년도 ISSCC (International Solid State Circuits Conference, 국제 반도체 회로 학술회의)에 업계에서 유일하게 발표 논문으로 채택되어 다시 한 번 세계 최고 수준의 기술력을 인정받았다.

현재 그래픽 D램의 주력 제품인 GDDR3는 그래픽 카드뿐만 아니라 세계 3대 게임기에 모두 채용되고 있으며, GDDR4도 고성능 그래픽 카드 솔루션으로 그 수요가 증가하고 있다.

삼성전자는 이번에 추가로 GDDR5를 확보함으로써 현재 양산 중인 GDDR3, GDDR4와 함께 그래픽 D램 全 제품군을 갖추게 되어 그래픽 D램 시장에서 확실한 경쟁 우위를 지속 유지하면서 차별화 D램 비중을 더욱 높여 나갈 수 있게 되었다.

시장조사기관인 머큐리에 따르면, 세계 그래픽 D램 시장은 올해 29억불에서 '11년에는 37억불로 계속 성장할 전망이다.

삼성전자는 내년 상반기에 60나노급 공정으로 이번에 개발한 제품 양산을 개시하여 차세대 그래픽 D램 시장을 계속해서 주도해 나갈 예정 이다.

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USB 플래시 드라이브에 제니퍼 로페즈 음악 앨범 담아 발매
사용자 삽입 이미지

최근 그레쏘(Gresso) 社는 제니퍼 로페즈의 신규 앨범, “브레이브”를 USB 플래시 드라이브에 담아 출시하면서, 음악 앨범의 기존 범주를 넘어섰다. 제품 가격은 70달러이다. 로페즈의 USB 플래시 드라이브 앨범은 로페즈 광팬을 타겟으로 한 제품이며, 일반 음악 청취자들도 제품을 접할 기회를 가질 수 있을 것이다.


Ubergizmo

[컴퓨터/노트북] - LG X-Note R200-EP76K

삼성전자, 업계최초 최고속 SATA2 64GB SSD 출시
삼성전자가 업계 최초로 최고 성능의 SATA2 전용 컨트롤러를 탑재한 64기가 바이트 SSD(Solid State Drive, 낸드플래시 기반 저장매체)를 출시했다.

※ SATA, PATA는 PC와 SSD를 연결 시켜주는인터페이스 규격으로 SATA는 Serial(직렬) ATA, PATA는 Parallel(병렬) ATA 입니다. 

금번 출시된 SATA2 SSD 제품은 낸드플래시 기반 데이터 저장 매체로 기존 SSD 대비 2배 이상 성능 향상시켜 초당 최대 쓰기속도 100메가 바이트, 읽기속도 120메가 바이트 이상을 실현하였고, HDD 대비하여 소비 전력도 절반 수준으로 낮추었다.

삼성전자는 이번 SATA2 SSD 출시로 SSD 기존 장점인 경박단소와 低소비전력에 성능까지 크게 향상시킴으로써 SSD 수요처를 기존 노트북 PC 시장에서 高성능을 요구하는 하이엔드 PC와 서버 시장까지 확대했다.

특히 세계 2.5인치 이하 HDD 시장에서 SATA2 제품이 차지하는 비중이 작년 25%에서 올해 70%, 내년 90% 이상으로 급격히 확대되기 때문에 삼성전자가 SATA2 SSD를 경쟁사보다 앞서 출시함에 따라 기존 SSD 시장에서 확보한 절대우위 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 되었다.

또한 노트북 PC와 서버용 삼성 자체 컨트롤러와 소프트웨어 등 SSD 관련 핵심 기술을 모두 확보하여 토털 솔루션 체제를 구축하였고 삼성전자 메모리 사업성장을 가속화하는 발판을 마련하였다.

삼성전자는 '06년 3월 PATA 32기가바이트 SSD 개발 이후, '07년 3월 SATA1 64기가바이트 SSD에 이어 이번에 SATA2 64기가바이트 SSD 제품까지 업계 최초 개발, 양산 하였다.

이로서, 삼성전자는 PATA, SATA1, SATA2 제품과 1.8인치, 2.5인치 등 다양한 크기와 32기가바이트, 64기가바이트 제품까지 SSD 全 제품군을 확보하여 새로이 급부상하는 SSD 시장에서 주도권을 장악하고 있다.

최근 삼성전자는 SSD에 대해 마이크로소프트사 WHQL (Windows Hardware Quality Labs) 규격과 SATA 국제 기구의 인증을 획득하여 SSD 제품에 대한 기술 및 성능을 국제적으로 공인 받았다.

또한, 지난 10월에는 미국 유력 소비자 잡지 중 하나인 'Popular Mechanics'가 선정한 '올해의 혁신상 (Breakthrough Awards 2007)'에 애플의 아이폰과 닌텐도의 위 게임기 등과 함께 선정되기도 하였다.

금번 개발된 SATA2 64기가 바이트 SSD에는 올해 초 업계 최초로 양산을 개시한 51나노 8기가 SLC 낸드플래시 64개가 탑재되어 있으며, 8기가 SLC 낸드플래시를 적용한 64기가 바이트 SSD 시장을 삼성전자가 주도하고 있다. 내년에는 128기가 바이트 이상 SSD도 개발할 예정이다.

시장조사기관에 의하면, 낸드플래시 기반 SSD 시장은 연 평균 성장율이 74% 수준으로 高성장하여 5년 후 2012년 약 100억불 시장으로 전망하고 있다. 즉, SSD 시장의 성장이 세계 낸드플래시와 메모리 시장 성장을 주도할 것으로 전망되며 삼성전자는 신규 시장에서 최고의 제품과 기술 경쟁력으로 시장을 선점해 나갈 예정이다.


< 세계 낸드플래시 기반 SSD 시장 전망 >
(by Web-Feet Research, '07년 10월, 단위 : 달러)

  

※ PATA 대비 SATA2 성능 비교

SATA2 제품은 연속적인 초당 데이터 읽기 및 쓰기 속도가 100메가 바이트 이상 처리가 가능하며, 인터페이스의 데이터 전달 속도가 PATA 인터페이스 대비 2배까지 향상되었으며 노트북용 HDD 대비 소모 전력은 1/2 수준이며, 데이터 처리 속도는 4~5배까지 높아짐 


삼성전자, 세계 최초 30나노 64기가 낸드 개발 성공
 

Ⅰ. SaDPT 및 CTF 두 혁신 기술의 시너지 극대화

삼성전자가 업계 최소 선폭 / 최대 용량의 30나노 64기가 낸드 플래시 개발에 성공했다.

30나노 기술은 머리카락 두께 1/4,000 정도의 초미세 기술이며, 64기가 용량은 세계 인구 65억명의 약 10배에 해당하는 640억개의 메모리 저장 장소가 손톱만한 크기에 집적되어 한 치의 오차 없이 작동되고 있음을 의미하는 것으로 현존하는 반도체 중 최첨단 기술이다.  

 

금번 30나노 64기가 낸드 플래시는, 작년 40나노 32기가 낸드 플래시 개발 時 삼성이 최초로 적용한 CTF 기술을 기반으로 하고, 여기에다, 기존의 DPT 기술과는 차별화 된 "삼성의 독창적 DPT (SaDPT, Self-aligned Double Patterning Technology)" 공정 기술을 비롯한 최첨단 설계/소자/Layout 등의 기술을 집대성, 추가로 적용 하여 얻은 성과다.

CTF가 기존의 고정 관념을 바꾸어 전하를 도체가 아닌 부도체에 저장, 셀間 정보 간섭을 최대한 억제함으로써 작년까지만 해도 한계로 알려져 왔던 50나노 장벽을 허물고, 40나노급 이하에서의 상용화 가능성을 최초로 제시한 기술이라면, 금번 개발을 위해 CTF와 함께 적용된 "SaDPT 기술" 은 기존 DPT 기술을 한 단계 더 발전시킨 "삼성만의 독창적 DPT 기술" 이다.

※ DPT

설비가 가지고 있는 고유의 한계보다 더욱 미세한 패턴을 실현, 한 세대 앞선 공정의 제품을 구현할 수 있도록 한 기술
(하기 "기존 DPT vs. 삼성 SaDPT 비교" 에서 상세 내용 설명) 

한가지 더 고무적인 것은, 이 기술을 20나노급까지도 확대 적용 함으로써 추가 투자 없이도 차세대 (30나노)는 물론, 차차세대 (20나노)까지의 공정 전환과 제품화 가능성을 제시 했다는 점이다.

이 역시, 20나노 / 256기가까지 적용 가능한 CTF 기술을 기반으로 하지 않았다면, 불가능 했을 것이다.  

 

결론적으로,

첫째,
이번 개발은 "삼성의 독창적인 SaDPT" 공정 기술을 비롯한 설계/소자/Layout 등 삼성의 최첨단 반도체 기술의 집대성을 통해 세계 최초로 30나노 / 64기가 반도체 제품화에 성공했다는 데에도 그 의의가 있으나,

작년에 삼성이 야심차게 개발한 CTF 기술을 기반으로 함으로써 차차세대 공정(20나노)의 제품화 가능성도 함께 제시, "두 혁신 기술 간 시너지 효과를 극대화" 시켰다는 점에서 더 큰 의의가 있다.

둘째,
"SaDPT 기술" 도입을 통한 30나노급 제품화 성공은 더욱 가속화되는 반도체 집적도 발전 속도와 현재 일시적으로 이를 따라 오지 못하고 있는 반도체 설비 기술 간 불균형 해소에도 기여할 것으로 보인다. 즉, '09년 이후 30나노 제품의 양산을 위해서는 새로운 개념의 반도체 장비 혹은 획기적 공정 기술의 도입이 절실한 상황인데, 삼성은 이번에 독창적인 "SaDPT 기술" 의 도입을 통해 현재 반도체 산업 전체가 당면한 과제에 매우 적절한 해답을 제공 하였음은 물론, 궁극적으로는, 기가 이후의 테라 시대 진입을 향한 반도체 산업 전체의 한 단계 도약에도 크게 기여 했다는 평가다.
 

 

Ⅱ. 30나노 64기가 낸드 플래시 개발 효과

금번 30나노 64기가 낸드 플래시의 개발 효과는 다음과 같다.

① 64기가 낸드 플래시 제품으로는, 최대 128기가 바이트의 메모리 카드 제작이 가능한데, 이
    카드 한 장이면, DVD급 화질 영화 80편 (124시간)을 저장할 수 있음은 물론, 약 40명 개개
    인의 모든 DNA 유전자 정보를 동시에 저장할 수도 있어 금번 개발 제품은 Bio 시대 저장 매
    체로서도 중요한 역할을 할 것으로 보인다.

※ DNA 유전정보 계산 근거

- 사람의 DNA 중 30억 個의 특정 DNA 정보를 알게 되면, 그 사람의 모든 DNA 유전자 정보 파악 가능

- DNA 1個에 해당하는 정보의 저장에는 1바이트 소요
→ 128기가 바이트 용량으로 약 40명분의 DNA 정보 저장 가능

또한, 이 카드 다섯 장으로는 우리나라 국회 도서관 220만 장서의 저장도 가능하다. 

② 이번에 적용한 "SaDPT 기술" 은 단지 낸드에만 국한된 것이 아니라 더욱 의미가 있는데, 30
    나노급 DRAM 및 기타 메모리에도 확대 적용이 가능할 전망이다.

③ '01年 100나노 개발 이후 혁신적 나노기술 7년 연속 세계 최초 개발이라는 점에도 그 의의
    가 있으며, ('01 100nm→'02 90nm→'03 70nm→'04 60nm→'05 50nm→ '06
    40nm→'07 30nm) '99年 256메가 개발 이후 "8년 연속 집적도 2배/년 성장" 실현이라는
    데에서도 그 의의를 찾을 수 있다. ('99년 256M → '00년 512M → '01년 1G → '02년
    2G → '03년 4G → '04년 8G → 05년 16G → '06년 32G → '07년 64G)

④ 삼성은 64기가 낸드 기술 및 제품 관련 30 여건의 핵심 특허를 한국, 미국, 일본 등 국내 외
    에 출원 중에 있다.

⑤ 금번 MLC 기반 30나노 64기가 낸드 플래시와 함께 SLC 기반 32기가 낸드 플래시도 동시
    에 개발되었다.

    이를 통해 모바일 PC 시장 위주의 現 SSD 시장을, 캠코더 포함한 디지털 컨수머, 기업向 서
    버 등 대용량 스토리지 시장으로 확대하는 데 크게 기여할 것으로 보인다.

⑥ 금번 개발 제품에 적용된 신기술은 향후 30나노 64기가 비트 이상 고용량 시장을 주도,
    '09~'11년 3년 누적 약 200억불 이상의 시장 창출 효과가 기대되며, '11년 이후에는 30나
    노급 이하 공정에도 지속 적용될 것으로 보여 시장 규모는 더욱 확대될 전망이다


[ 64기가비트 이상 고용량 NAND 시장 전망 ]
(억불, 4Gb Eq. 억개) ※ Source : Dataquest '07.8月

  

"창조"란 "이제까지는 없었던 전혀 새로운 개념의 탄생", 그리고, "이미 있었던 개념을 창의적으로 새롭게 적용하는 것" 두 종류로 대별된다. 삼성전자의 금번 개발은 이 중 두 번째에 해당되는 것으로, 퓨전 메모리 (OneNAND, OneDRAM, Flex-OneNAND) CTF 기술 등과 함께 삼성전자 반도체의 대표적 "창의적 산물"의 사례로 기록될 전망이다.

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