NEC , 초고속 MRAM(자기메모리) 개발!

NEC 사는 새로운 정적램(SRAM) 방식과 호환 가능한 자기 메모리(MRAM)를 개발하는데 성공했다. 250MHz로 작동되는 이 제품은 세계에서 가장 빠른 MRAM 구동속도를 자랑한다. MRAM은 초특급 구동속도 및 비휘발성의 특성으로 전원이 꺼졌을 때에도 데이터를 보존하고 무제한적인 기록 보존성을 지녀 지배적인 차세대 메모리 기술로 주목받고 있다.

SRAM 속도 기준에서의 검증을 통해 새로 개발된  MRAM은 향후 SRAM의 대체재로써 LSIs 시스템에 탑재될 수 있다고 밝혀졌다. 두 개의 트랜지스터, 하나의 자기 터널 접합, 그리고 새로 개발된 회로기술을 하나의 메모리 셀에 통합하는 새로운 디자인은 250MHz의 속도 구현으로 달성했다. 이 속도는 기존의 MRAM의 두 배에 가까운 수치이며 거의 최근의 LSI 내장형 SRAM 속도와 맞먹는다.

MRAM은 비휘발성, 무제한적인 기록 보존, 고속구동, 절반으로 줄어든 소비전력 등의 기능에 힘입어 미래 전자 기기에 새로운 가치와 애플리케이션을 창출해 낼 것으로 전망된다. 시스템 LSI 내장형 SRAM의 대체재로서 MRAM는 시스템 LSIs에 비해 현저하게 낮은 전력소비를 가능케 하기 때문에 보다 더 많은 가치를 제공할 수 있다. 이는 MRAM의 경우, 사용하지 않을 때에는 휴지상태에 머물다가 필요할 때엔 즉각적인 작동이 가능하기 때문이다.

 

출처 Far EAST Gizmos

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