NEC 사는 새로운 정적램(SRAM) 방식과 호환 가능한 자기 메모리(MRAM)를 개발하는데 성공했다. 250MHz로 작동되는 이 제품은 세계에서 가장 빠른 MRAM 구동속도를 자랑한다. MRAM은 초특급 구동속도 및 비휘발성의 특성으로 전원이 꺼졌을 때에도 데이터를 보존하고 무제한적인 기록 보존성을 지녀 지배적인 차세대 메모리 기술로 주목받고 있다. SRAM 속도 기준에서의 검증을 통해 새로 개발된 MRAM은 향후 SRAM의 대체재로써 LSIs 시스템에 탑재될 수 있다고 밝혀졌다. 두 개의 트랜지스터, 하나의 자기 터널 접합, 그리고 새로 개발된 회로기술을 하나의 메모리 셀에 통합하는 새로운 디자인은 250MHz의 속도 구현으로 달성했다. 이 속도는 기존의 MRAM의 두 배에 가까운 수치이며 거의 최근..